Artigo Anais do V CONAPESC

ANAIS de Evento

ISSN: 2525-6696

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ESTUDO DAS PROPRIEDADES ELETRÔNICA DE HETEROESTRUTURA LATERAL BASEADO EM DICALCOGENETOS DE METAIS DE TRANSIÇÃO (TMDS) VIA CÁLCULOS AB INITIO

Palavra-chaves: HETEROESTRUTURA LATERAL, DFT, CASTEP, TMDS, Comunicação Oral (Artigo Completo) AT 07: Novas tecnologias, Cultura Digital e Pesquisa e Ensino das Ciências da Computação

Resumo

A COMPREENSÃO DE NOVOS MATERIAIS NANOESTRUTURADO É MUITO IMPORTANTE PARA O AVANÇO TECNOLÓGICO. ESPERA-SE QUE A JUNÇÃO DE MATERIAIS PROVOQUE MUDANÇAS NAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS EM COMPARAÇÃO COM AS PROPRIEDADES DESSES MATERIAIS ISOLADOS. LOGO, ESTUDAR AS PROPRIEDADES FÍSICAS APÓS A JUNÇÃO DE MATERIAIS SÃO IMPORTANTES PARA CRIAÇÃO DE INSTRUMENTOS CADA VEZ MENORES E MELHORES. NESTE TRABALHO, UTILIZANDO CÁLCULOS DE PRIMEIROS PRINCÍPIOS, IMPLEMENTADOS COM O FORMALISMO DA DFT NO CÓDIGO COMPUTACIONAL CASTEP, INVESTIGAMOS AS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS DAS HETEROESTRUTURA LATERAL (HSL) FORMADAS PELA JUNÇÃO DE PLANOS BASEADOS EM DICALCOGENETOS DE METAL DE TRANSIÇÃO (TMDS). COMO RESULTADO FOI VISTO QUE HSL APRESENTA CARACTERÍSTICA SEMICONDUTORA DE GAP INDIRETO.

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